MEMS・半導体向けウエハ加工サービス（シリコン貫通電極-TSV受託加工、3次元実装）、MEMS製品等の販売：日本MEMS株式会社
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３次元実装サービス（TSV技術等による受託加工サービス）
TSV技術を用いてメモリチップを3次元実装することにより、実装容積は格段に効率化できます。
当社がご提供する3次元実装の受託加工サービスを是非ご利用ください。
● CPU、メモリー、センサーなどの３次元実装を受託加工いたします。
● ４、６、８インチウエハでの３次元実装サービスに対応します。
● １２インチウエハでの３次元実装サービスもご相談に応じます。
● チップ単位での３次元実装サービスにも対応します。
● FOWLP(Fan out Wafer Level Package)にも対応します。
TSV技術を用いた３次元実装の例
３次元実装サービスの技術要素
１）シリコン穴加工
ドライエッチングにより概ねφ1um程度の穴径
【３次元実装の技術要素】
Φ1um 深さ12.5umの穴あけ例
（ドライエッチ）
２）絶縁層形成
熱酸化、またはCVD法による
３）シード層形成
スパッタ法による。アスペクト比３程度
一部イオン化スパッタ法。アスペクト比５〜６程度
また無電解メッキ対応検討中。Ni/Co/Wなど
【３次元実装の技術要素】
40umピッチTSV(ビアラーストフロントビア形成例）
断面は40umピッチ、20umφ、50um深さの穴、Cu埋め込みの途中段階。
穴の中の針状のものは向こう側の壁が見えている
４）導電体形成
メッキ法による。Cuなど。
【３次元実装の技術要素】
Φ50um 250um厚、アスペクト５ の試作例
TSV対応の目安
| シリコン厚（um） | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 25 | 50 | 75 | 100 | 250 | 300 | ||
| 穴 径 (um) |
5 | 5.0 | |||||
| 10 | 2.5 | 5.0 | 7.5 | 10.0 | 25.0 | 30.0 | |
| 20 | 1.25 | 2.5 | 3.8 | 5.0 | 12.5 | 15.0 | |
| 30 | 0.83 | 1.7 | 2.5 | 3.3 | 8.3 | 10.0 | |
| 40 | 0.62 | 1.3 | 1.9 | 2.5 | 6.3 | 7.5 | |
| 50 | 0.5 | 1.0 | 1.5 | 2.0 | 5.0 | 6.0 | |
対応困難領域 実績のある領域 製造可能領域 研究開発が必要な領域
(表中の数字：アスペクト値)