MEMS・半導体向けウエハ加工サービス(シリコン貫通電極-TSV受託加工、3次元実装)、MEMS製品等の販売:日本MEMS株式会社

日本MEMS株式会社

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3次元実装サービス(TSV技術等による受託加工サービス)

TSV技術を用いてメモリチップを3次元実装することにより、実装容積は格段に効率化できます。
当社がご提供する3次元実装の受託加工サービスを是非ご利用ください。

● CPU、メモリー、センサーなどの3次元実装を受託加工いたします。
● 4、6、8インチウエハでの3次元実装サービスに対応します。
● 12インチウエハでの3次元実装サービスもご相談に応じます。
● チップ単位での3次元実装サービスにも対応します。
● FOWLP(Fan out Wafer Level Package)にも対応します。

日本MEMS株式会社の3次元実装サービス(TSV技術等による実装サービス)

TSV技術を用いた3次元実装の例

3次元実装サービスの技術要素

1)シリコン穴加工
ドライエッチングにより概ねφ1um程度の穴径


日本MEMS株式会社の3次元実装サービス(TSV技術等による実装サービス)

【3次元実装の技術要素】
Φ1um 深さ12.5umの穴あけ例
(ドライエッチ)

2)絶縁層形成
熱酸化、またはCVD法による

3)シード層形成
スパッタ法による。アスペクト比3程度
一部イオン化スパッタ法。アスペクト比5〜6程度
また無電解メッキ対応検討中。Ni/Co/Wなど


日本MEMS株式会社の3次元実装サービス(TSV技術等による実装サービス)

【3次元実装の技術要素】

40umピッチTSV(ビアラーストフロントビア形成例)
断面は40umピッチ、20umφ、50um深さの穴、Cu埋め込みの途中段階。
穴の中の針状のものは向こう側の壁が見えている

4)導電体形成
メッキ法による。Cuなど。


日本MEMS株式会社の3次元実装サービス(TSV技術等による実装サービス)

【3次元実装の技術要素】
Φ50um 250um厚、アスペクト5 の試作例


TSV対応の目安

シリコン厚(um)
25 50 75 100 250 300


(um)
5 5.0          
10 2.5 5.0 7.5 10.0 25.0 30.0
20 1.25 2.5 3.8 5.0 12.5 15.0
30 0.83 1.7 2.5 3.3 8.3 10.0
40 0.62 1.3 1.9 2.5 6.3 7.5
50 0.5 1.0 1.5 2.0 5.0 6.0

  対応困難領域     実績のある領域     製造可能領域     研究開発が必要な領域

(表中の数字:アスペクト値)