MEMS・半導体向けウエハ加工サービス(シリコン貫通電極-TSV受託加工、3次元実装)、MEMS製品等の販売:日本MEMS株式会社

日本MEMS株式会社

お問い合わせ先
TEL : 03-6240-0391

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MEMSファンドリーサービス (ウエハ受託加工サービス)

■2インチや異型の基板から12インチ(300mm)のMEMSラインのネットワークにより
 あらゆるご要望に対応。
■1枚からの露光、エッチング受託加工、成膜サービス等もお気軽にご相談ください。
■MEMSの設計、開発から量産、組み立てまでかつ1枚から多量まで対応。
■本格的なMEMS専用ラインでのファンドリーサービスです。

PZT成膜サービス
スパッタ法で4,5,6,8インチに対応します。

Siディープエッチングサービス
2〜12インチに対応します。

100℃以下の低温CVD膜付けサービス
2〜6インチに対応します。

8インチ, 12インチMEMSファンドリーサービス
大型チップ向けMEMS製造が可能

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6インチラインプロセス工程紹介

  他にも3インチから12インチまでの各種ラインで対応しています。



お見積り

お見積りは個別に対応させていただいております お問い合わせはこちら


6インチライン紹介(台湾APM社)

本格的なMEMS用専用6インチラインです

1.ホト工程

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5X Stepper:
 0.8 μm resolution、overlay control < 0.2 μm
- 1X Mask Aligner: :
 3 μm resolution for single side exposure
- 両面 Aligner
 1 μm overlay control for single side alignment
 2 μm overlay control for double side alignment
- Track coating system
- Track developing system
- Coating and developing system:Double side coating and developing

2.MEMS対応薄膜デポジション

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- Sputtering:: Al, Ta, TaN, Ta2O5, Ti, TiN, Cu, TaAl, AlCuSi, AlCu
- E-Gun Deposition:Cr, Au, Pt
- PECVD, APCVD:SiC; SiN; SiO2; BPSG
- Furnace:SiN; SiO2; Poly; Doped Poly

3.ドライエッチング工程

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- Deep Si Etcher (ICP Etcher)
- Metal Etcher
- Poly Si Etcher
- Oxide/SiNx Etcher
- Plasma Asher

4.バルクMEMS加工

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- 両面アライナー (2 μm overlay accuracy)
- ICP 高速エッチャ−(20 から数 100μm)、垂直形状可
- 表面および裏面からのウエットエッチ:
 KOH (time-mode or auto etch-stop by electro-chemical or P+)
- Through wafer interconnection module
- KOH, PHF, DHF 用のウエットベンチ

5.ウエハ接合

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-シリコンとガラスのどのような貼り合わせせも可能
-基盤厚みは4mmまで可

6.評価装置

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- In-line CD SEM
- Alpha-Step Profiler
- Membrane Thickness Measurement
- Surfscan
- Defect Reviewer
- FTIR
- Al Thickness Measurement
- Four Point Probe
- Wafer Stress Analyzer
- Therma-Wave Implant Damage Analyzer
- Nanometrics Dielectric Thickness Measurement
- SPV Furnace Impurity Analyzer
- Rudolph Ellipsometer
- Semiconductor CV Plotter
- Top-side Microscope
- Double-side Microscope
- Cross-sectional SEM